一、DRAM價格持續(xù)走強，連續(xù)四月上漲
DRAM價格已連續(xù)四個月保持上漲態(tài)勢，成為存儲芯片市場的核心上漲品種。2025年7月，代表性產品DDR4 8Gb批發(fā)價約為4.28美元/個，4Gb產品價格約為3.26美元/個，較6月均上漲4%；PC DRAM通用產品（DDR4 8Gb 1Gx8）平均固定交易價格達3.90美元，環(huán)比大幅上漲50%，創(chuàng)下2021年10月以來最高水平。此輪上漲主要源于三大DRAM供應商（三星電子、SK海力士、美光）優(yōu)先滿足服務器DRAM需求，導致PC DRAM供應緊張，加之上游減產及下游PC制造商提前備貨的需求拉動。

二、DDR4與DDR5價格出現罕見“倒掛”
市場供需失衡引發(fā)DDR4與DDR5價格“倒掛”，DDR4價格反超DDR5。2025年8月末，DDR4 16GB現貨價格升至8.59美元，DDR5 16GB現貨價格為6.17美元，兩者價差較6月進一步擴大（6月DDR4為7.01美元、DDR5為5.85美元）。這一現象促使三星、SK海力士等內存巨頭調整生產計劃：三星將DDR4生產延長至2026年，SK海力士則推動無錫舊晶圓廠提高DDR4產量，以鎖定更高利潤率。

三、NAND Flash價格穩(wěn)步回升
NAND Flash市場亦呈現持續(xù)上漲趨勢。2025年7月，存儲卡和U盤用的NAND閃存通用產品（128Gb 16Gx8 MLC）平均固定交易價格為3.39美元，環(huán)比上漲8.67%。自2025年以來，NAND價格結束了2024年9月以來的下跌態(tài)勢，連續(xù)七個月上漲，主要受數據中心SSD需求回暖及企業(yè)級存儲需求增長推動。

四、存儲芯片產業(yè)鏈漲價驅動因素

1. 供需失衡：2023-2024年全球消費電子市場低迷，存儲芯片廠商減產緩解庫存壓力；2025年AI大模型、智能汽車等新興需求爆發(fā)，市場從“供過于求”急速轉向“供不應求”。
2. 技術升級：存儲芯片技術代際躍遷帶來成本增加，如三星第9代V-NAND良率僅65%，單顆芯片成本飆升35%；美光1β工藝節(jié)點遭遇技術瓶頸，被迫通過提價覆蓋研發(fā)費用。
3. 地緣政治：美國對華技術封鎖升級，出口管制導致部分中國存儲廠商擴產計劃減速；同時，《芯片法案》補貼吸引美光、三星在美設廠，本土制造成本比中國高40%，最終通過全球漲價消化。